CVD SiC katteotsik
  • CVD SiC katteotsikCVD SiC katteotsik

CVD SiC katteotsik

Vetek Semiconductori CVD SiC kattedüüsid on olulised komponendid, mida kasutatakse LPE SiC epitaksiprotsessis ränikarbiidmaterjalide sadestamiseks pooljuhtide valmistamise ajal. Need düüsid on tavaliselt valmistatud kõrge temperatuuriga ja keemiliselt stabiilsest ränikarbiidmaterjalist, et tagada stabiilsus karmides töötlemiskeskkondades. Mõeldud ühtlaseks sadestumiseks, mängivad nad võtmerolli pooljuhtide rakendustes kasvatatavate epitaksiaalsete kihtide kvaliteedi ja ühtluse kontrollimisel. Ootame teiega pikaajalist koostööd.

Saada päring

Tootekirjeldus

VeTek Semiconductor on spetsialiseerunud CVD SiC katete tarvikute tootja epitaksiaalsetele seadmetele, nagu CVD SiC Coating poolkuu osad ja selle tarvikud CVD SiC Coating Pihustid. Tere tulemast meiega päringusse.


PE1O8 on täisautomaatne kassettidest padrunisse süsteem, mis on mõeldud käsitsemiseksSiC vahvlidkuni 200 mm. Vormingut saab vahetada 150 ja 200 mm vahel, minimeerides tööriista seisakuaega. Kütteastmete vähendamine suurendab tootlikkust, automatiseerimine aga vähendab tööjõudu ning parandab kvaliteeti ja korratavust. Tõhusa ja kulutõhusa epitakseerimisprotsessi tagamiseks esitatakse kolm peamist tegurit: 


●  kiire protsess;

● paksuse ja dopingu kõrge ühtlus;

●  defektide moodustumise minimeerimine epitaksiprotsessi ajal. 


PE1O8-s võimaldavad väike grafiidimass ja automaatne laadimis- ja mahalaadimissüsteem standardse töö lõpetada vähem kui 75 minutiga (standardne 10 μm Schottky dioodi koostis kasutab kasvukiirust 30 μm/h). Automaatne süsteem võimaldab peale- ja mahalaadimist kõrgetel temperatuuridel. Seetõttu on kuumutamis- ja jahutusajad lühikesed, samas kui küpsetamisetapp on takistatud. See ideaalne seisund võimaldab kasvatada tõelisi legeerimata materjale.


Ränikarbiidi epitakseerimise protsessis mängivad CVD SiC kattedüüsid epitaksiaalsete kihtide kasvu ja kvaliteedi tagamisel üliolulist rolli. Siin on laiendatud selgitus düüside rolli kohtaränikarbiidi epitaksia:


CVD SiC Coating Nozzle working diagram

● Gaasivarustus ja kontroll: Düüsid kasutatakse epitakseerimise ajal vajaliku gaasisegu, sealhulgas räni lähtegaasi ja süsinikuallika gaasi väljastamiseks. Düüside kaudu saab gaasivoolu ja suhteid täpselt reguleerida, et tagada epitaksiaalse kihi ühtlane kasv ja soovitud keemiline koostis.


● Temperatuuri reguleerimine: Düüsid aitavad reguleerida ka temperatuuri epitaksireaktoris. Ränikarbiidi epitaksis on temperatuur kriitiline tegur, mis mõjutab kasvukiirust ja kristallide kvaliteeti. Paigaldades düüside kaudu soojus- või jahutusgaasi, saab epitaksiaalse kihi kasvutemperatuuri reguleerida optimaalsete kasvutingimuste jaoks.


● Gaasivoolu jaotus: Düüside konstruktsioon mõjutab gaasi ühtlast jaotumist reaktoris. Ühtlane gaasivoolu jaotus tagab epitaksiaalse kihi ühtluse ja ühtlase paksuse, vältides materjali kvaliteedi ebaühtlusega seotud probleeme.


● Lisandite saastumise vältimine: Düüside õige disain ja kasutamine võib aidata vältida lisanditega saastumist epitakseerimisprotsessi ajal. Sobiv otsiku konstruktsioon minimeerib väliste lisandite reaktorisse sattumise tõenäosust, tagades epitaksiaalse kihi puhtuse ja kvaliteedi.


CVD SIC KATTEVILLE KRISTALLI STRUKTUUR:


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


CVD SiC katte peamised füüsikalised omadused:


CVD SiC katte põhilised füüsikalised omadused
Kinnisvara Tüüpiline väärtus
Kristalli struktuur FCC β faasi polükristalliline, peamiselt (111) orienteeritud
SiC kate Tihedus 3,21 g/cm³
Kõvadus 2500 Vickersi kõvadus (koormus 500 g)
Tera suurus 2-10 μm
Keemiline puhtus 99,99995%
Soojusvõimsus 640 J·kg-1·K-1
Sublimatsiooni temperatuur 2700 ℃
Paindetugevus 415 MPa RT 4-punktiline
Youngi moodul 430 Gpa 4pt painutus, 1300 ℃
Soojusjuhtivus 300 W · m-1·K-1
Soojuspaisumine (CTE) 4,5 × 10-6K-1


VeTekSemiCVD SiC kattedüüsidTootmispoed:


Graphite epitaxial substrateSemiconductor EquipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

Kuumad sildid: CVD SiC-katte otsik, Hiina, tootja, tarnija, tehas, kohandatud, ränikarbiidiga kaetud otsik, täiustatud, vastupidav, valmistatud Hiinas
Seotud kategooria
Saada päring
Palun esitage oma päring allolevas vormis. Vastame teile 24 tunni jooksul.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept