> Tooted > Ränikarbiidi kate > MOCVD tehnoloogia

Uued tooted

Hiina MOCVD tehnoloogia Tootja, tarnija, tehas

VeTek Semiconductoril on eelised ja kogemused MOCVD Technology varuosade osas.

MOCVD, metalli-orgaanilise keemilise aurustamise-sadestamise (metal-orgaaniline keemiline aurustamine-sadestamine) täisnime, võib nimetada ka metallorgaaniliseks aurufaasi epitaksiks. Metallorgaanilised ühendid on metall-süsinik sidemetega ühendite klass. Need ühendid sisaldavad vähemalt ühte keemilist sidet metalli ja süsinikuaatomi vahel. Metallorgaanilisi ühendeid kasutatakse sageli lähteainetena ja need võivad erinevate sadestamismeetodite abil moodustada substraadile õhukesi kilesid või nanostruktuure.

Metallorgaaniline keemiline aurustamine-sadestamine (MOCVD-tehnoloogia) on levinud epitaksiaalse kasvu tehnoloogia, MOCVD-tehnoloogiat kasutatakse laialdaselt pooljuhtlaserite ja LED-ide valmistamisel. Eriti LED-ide valmistamisel on MOCVD võtmetehnoloogia galliumnitriidi (GaN) ja sellega seotud materjalide tootmiseks.

Epitaksial on kaks peamist vormi: vedelfaasi epitaksia (LPE) ja aurufaasi epitaksia (VPE). Gaasifaasi epitaksika võib veel jagada metallorgaaniliseks keemiliseks aurustamise-sadestamiseks (MOCVD) ja molekulaarkiirepitaksiks (MBE).

Välismaistest seadmetootjatest on peamiselt esindatud Aixtron ja Veeco. MOCVD süsteem on üks võtmeseadmeid laserite, LEDide, fotoelektriliste komponentide, toite-, raadiosagedusseadmete ja päikesepatareide tootmiseks.

Meie ettevõtte toodetud MOCVD-tehnoloogia varuosade peamised omadused:

1) Suur tihedus ja täielik kapseldamine: grafiidist alus tervikuna on kõrgel temperatuuril ja söövitavas töökeskkonnas, pind peab olema täielikult mähitud ja kattekihil peab olema hea tihedus, et täita head kaitsefunktsiooni.

2) Hea pinnatasasus: kuna monokristallide kasvatamiseks kasutatav grafiitalus nõuab väga kõrget pinnatasasust, tuleks pärast katte valmistamist säilitada aluse esialgne tasasus, see tähendab, et kattekiht peab olema ühtlane.

3) Hea nakketugevus: vähendage grafiitaluse ja kattematerjali soojuspaisumise koefitsiendi erinevust, mis võib tõhusalt parandada nende kahe sidumistugevust ning katet ei ole pärast kõrge ja madala temperatuuriga kuumust kerge puruneda. tsükkel.

4) Kõrge soojusjuhtivus: kvaliteetne laastude kasv eeldab, et grafiidist alus tagab kiire ja ühtlase kuumuse, seega peaks kattematerjalil olema kõrge soojusjuhtivus.

5) Kõrge sulamistemperatuur, kõrge temperatuuriga oksüdatsioonikindlus, korrosioonikindlus: kate peaks suutma stabiilselt töötada kõrgel temperatuuril ja söövitavas töökeskkonnas.

Asetage 4-tolline substraat
Sinine-roheline epitaks LED kasvatamiseks
Asub reaktsioonikambris
Otsene kontakt vahvliga Asetage 4-tolline substraat
Kasutatakse UV LED-epitaksiaalkile kasvatamiseks
Asub reaktsioonikambris
Otsene kontakt vahvliga Veeco K868/Veeco K700 masin
Valge LED-epitaksia/Sinakasroheline LED-epitaksia Kasutatud VEECO seadmetes
MOCVD Epitaxy jaoks
SiC katte sustseptor Aixtron TS varustus
Sügav ultraviolettepitaksia
2-tolline substraat Veeco seadmed
Punane-kollane LED-epitaksia
4-tolline vahvlipõhimik TaC-kattega sustseptor
(SiC Epi/ UV LED-vastuvõtja) SiC-kattega sustseptor
(ALD / Si Epi / LED MOCVD sustseptor)

View as

SiC kattega vahvlikandja

Professionaalse SiC-kattega vahvlikandjate tootjana ja tarnijana Hiinas kasutatakse Vetek Semiconductori SiC-kattega vahvlikandjaid peamiselt epitaksiaalse kihi kasvu ühtluse parandamiseks, tagades nende stabiilsuse ja terviklikkuse kõrgel temperatuuril ja söövitavas keskkonnas. Ootan teie päringut.

Loe rohkem Saada päring

MOCVD LED Epi sustseptor

VeTek Semiconductor on professionaalne MOCVD LED Epi sustseptori, ALD planetaarsusseptori ja TaC-kattega grafiit-susceptori tootja Hiinas. VeTek Semiconductori MOCVD LED Epi Susceptor on mõeldud nõudlikele epitaksiaalseadmete rakendustele. Selle kõrge soojusjuhtivus, keemiline stabiilsus ja vastupidavus on võtmetegurid stabiilse epitaksiaalse kasvuprotsessi ja kvaliteetse pooljuhtkile tootmise tagamiseks. Ootame teiega edasist koostööd.

Loe rohkem Saada päring

SiC Coating Epi vastuvõtja

VeTek Semiconductor on Hiinas juhtiv SiC Coating Epi Susceptor toodete tootja, uuendaja ja juht. Oleme aastaid keskendunud erinevatele SiC kattetoodetele, nagu SiC Coating Epi Susceptor, SiC Coating Wafer Carrier, SiC Coating Susceptor, SiC kate ALD sustseptor jne. VeTek Semiconductor on pühendunud kõrgtehnoloogia ja tootelahenduste pakkumisele pooljuhtide jaoks. tööstusele. Tere tulemast teie edasisele konsultatsioonile.

Loe rohkem Saada päring

CVD SiC kattega seelik

VeTek Semiconductor on Hiinas juhtiv CVD SiC Coatingi ja TAC Coatingi tootja, uuendaja ja juht. Oleme aastaid keskendunud erinevatele CVD SiC kattetoodetele, nagu CVD SiC kattega seelik, CVD SiC katterõngas, CVD SiC katte kandja jne. VeTek Semiconductor toetab kohandatud tooteteenuseid ja rahuldavaid tootehindu ning ootab teie edasist hinda konsultatsioon.

Loe rohkem Saada päring

UV LED Epi sustseptor

Hiina juhtiva pooljuhttoodete tootja ja juhina on VeTek Semiconductor keskendunud juba aastaid erinevat tüüpi suceptortoodetele, nagu UV LED Epi Susceptor, Deep-UV LED Epitaxial Susceptor, SiC Coating Susceptor, MOCVD Susceptor jne. VeTek Semiconductor on pühendunud kõrgtehnoloogia ja tootelahenduste pakkumisele pooljuhtide tööstusele ning ootame siiralt teie partneriks saamist Hiinas.

Loe rohkem Saada päring

SiC-kattega tugirõngas

VeTek Semiconductor on professionaalne Hiina tootja ja tarnija, kes toodab peamiselt ränikarbiidiga kaetud tugirõngaid, CVD ränikarbiidi (SiC) katteid, tantaalkarbiidi (TaC) katteid, puiste SiC, ränikarbiidi pulbreid ja kõrge puhtusastmega ränikarbiidi materjale. Oleme pühendunud täiusliku tehnilise toe ja parimate tootelahenduste pakkumisele pooljuhtide tööstusele, võtke meiega ühendust.

Loe rohkem Saada päring

<1 2 3 4 5 >

Professionaalse MOCVD tehnoloogia tootja ja tarnijana Hiinas on meil oma tehas. Ükskõik, kas vajate kohandatud teenuseid oma piirkonna konkreetsete vajaduste rahuldamiseks või soovite osta täiustatud ja vastupidavat Hiinas valmistatud MOCVD tehnoloogia, võite meile sõnumi jätta.