- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Uudised
Hiina ettevõtted arendavad väidetavalt Broadcomiga 5nm kiipe!
Välismaiste uudiste kohaselt paljastasid kaks allikat 24. juunil, et ByteDance teeb koostööd USA kiibidisaini ettevõttega Broadcom, et töötada välja täiustatud tehisintellekti (AI) andmetöötlusprotsessor, mis aitab ByteDance'il tagada Hiina vaheliste pingete keskel kvaliteetsete kiipide piisava varu......
Loe rohkem
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: 8-tollised SiC kiibid pannakse tootmisse eeldatavasti detsembris!
SiC tööstuse juhtiva tootjana on Sanan Optoelectronicsiga seotud dünaamika pälvinud tööstuses laialdast tähelepanu. Hiljuti avalikustas Sanan Optoelectronics rea uusimaid arenguid, mis hõlmavad 8-tollise ümberkujundamist, uue substraaditehase tootmist, uute ettevõtete asutamist, valitsuse subsiidium......
Loe rohkem
TaC-kattega grafiitdetailide kasutamine ühekristallahjudes
SiC ja AlN monokristallide kasvatamisel füüsilise aurutranspordi (PVT) meetodil on üliolulised komponendid, nagu tiigel, seemnehoidja ja juhtrõngas, ülioluline. Nagu on kujutatud joonisel 2 [1], asetatakse PVT protsessi ajal algkristall madalama temperatuuriga piirkonda, samal ajal kui ränikarbiidi ......
Loe rohkem
SiC epitaksiaalse kasvuahju erinevad tehnilised teed
Ränikarbiidist aluspindadel on palju defekte ja neid ei saa otse töödelda. Kiibivahvlite valmistamiseks tuleb neile epitaksiaalse protsessi abil kasvatada spetsiifiline ühekristalliline õhuke kile. See õhuke kile on epitaksiaalne kiht. Peaaegu kõik ränikarbiidist seadmed on valmistatud epitaksiaalse......
Loe rohkem
Ränikarbiidi epitaksia materjal
Ränikarbiidi epitaksiaalkihi materjal on ränikarbiid, mida tavaliselt kasutatakse suure võimsusega elektroonikaseadmete ja LED-ide valmistamiseks. Seda kasutatakse laialdaselt pooljuhtide tööstuses selle suurepärase termilise stabiilsuse, mehaanilise tugevuse ja kõrge elektrijuhtivuse tõttu.
Loe rohkem
