> Uudised > Tööstusuudised

Tööstusuudised

3C SiC arengulugu

Tänu pidevale tehnoloogilisele arengule ja põhjalikele mehhanismide uurimisele mängib 3C-SiC heteroepitaksiaaltehnoloogia pooljuhtide tööstuses olulisemat rolli ja soodustab kõrge efektiivsusega elektroonikaseadmete arendamist.

Loe rohkem

ALD aatomkihtsadestamise retsept

Ruumiline ALD, ruumiliselt isoleeritud aatomikihi sadestumine. Vahvel liigub erinevate positsioonide vahel ja puutub igas asendis kokku erinevate lähteainetega. Allolev joonis on traditsioonilise ALD ja ruumiliselt isoleeritud ALD võrdlus.

Loe rohkem

Tantaalkarbiidi tehnoloogia läbimurre, ränikarbiidi epitaksiaalreostus vähenes 75%?

Hiljuti on Saksa uurimisinstituut Fraunhofer IISB teinud läbimurde tantaalkarbiidiga katmistehnoloogia uurimis- ja arendustegevuses ning välja töötanud CVD-sadestuslahusest paindlikuma ja keskkonnasõbralikuma pihustuskatte lahenduse, mis on turule viidud.

Loe rohkem

3D-printimise tehnoloogia uurimuslik rakendamine pooljuhtide tööstuses

Kiire tehnoloogilise arengu ajastul muudab 3D-printimine kui arenenud tootmistehnoloogia oluline esindaja järk-järgult traditsioonilise tootmise palet. Tehnoloogia pideva küpsuse ja kulude vähenemisega on 3D-printimise tehnoloogia näidanud laialdasi rakendusväljavaateid paljudes valdkondades, nagu l......

Loe rohkem

Räni (Si) epitaksi valmistamise tehnoloogia

Üksikristallmaterjalid ei suuda rahuldada erinevate pooljuhtseadmete kasvava tootmise vajadusi. 1959. aasta lõpus töötati välja õhukese kihi monokristallmaterjali kasvutehnoloogia - epitaksiaalne kasv.

Loe rohkem

Põhineb 8-tollise ränikarbiidi monokristallide kasvuahju tehnoloogial

Ränikarbiid on üks ideaalseid materjale kõrgtemperatuuriliste, kõrgsageduslike, suure võimsusega ja kõrgepingeseadmete valmistamiseks. Tootmise efektiivsuse parandamiseks ja kulude vähendamiseks on oluliseks arengusuunaks suurte ränikarbiidsubstraatide valmistamine.

Loe rohkem

<...6 7 8 9 10 >