SiC kaetud ICP söövituskandur

VeTek Semiconductori SiC-kattega ICP-söövituskandur on loodud kõige nõudlikumate epitakseerimisseadmete jaoks. Kvaliteetsest ülipuhast grafiitmaterjalist valmistatud meie SiC-kattega ICP söövituskanduril on väga tasane pind ja suurepärane korrosioonikindlus, mis talub käsitsemise ajal karmides tingimustes. SiC-ga kaetud kandja kõrge soojusjuhtivus tagab ühtlase soojusjaotuse, et saavutada suurepärased söövitustulemused. VeTek Semiconductor ootab teiega pikaajalise partnerluse loomist.

Saada päring

Tootekirjeldus

Aastatepikkuse ränidioksiidiga kaetud ICP söövituskanduri tootmise kogemusega VeTek Semiconductor suudab pakkuda laia valikutSiC kaetudvõiTaC kaetudvaruosad pooljuhtide tööstusele. Lisaks allolevale tooteloendile saate kohandada ka oma ainulaadseid SiC-kattega või TaC-kattega osi vastavalt oma konkreetsetele vajadustele.Tere tulemast meie käest päringu tegemiseks.

VeTek Semiconductori SiC-kattega ICP-söövituskandur, tuntud ka kui ICP-kandjad, PSS-kandjad, RTP-kandjad või RTP-kandjad, on olulised komponendid, mida kasutatakse pooljuhtidetööstuses erinevates rakendustes. Ränikarbiidiga kaetud grafiit on nende voolukandjate tootmiseks kasutatav esmane materjal. Sellel on kõrge soojusjuhtivus, rohkem kui 10 korda suurem kui safiirsubstraadi soojusjuhtivus. See omadus koos suure rulliku elektrivälja tugevuse ja maksimaalse voolutihedusega on ajendanud uurima ränikarbiidi kui räni potentsiaalset asendajat mitmesugustes rakendustes, eriti suure võimsusega pooljuhtide komponentides. SiC voolukandjaplaatidel on kõrge soojusjuhtivus, mis muudab need ideaalseksLED tootmisprotsessid.

Need tagavad tõhusa soojuse hajumise ja suurepärase elektrijuhtivuse, aidates kaasa suure võimsusega ledide tootmisele. Lisaks on neil kandeplaatidel suurepäraneplasma resistentsusja pikk kasutusiga, tagades usaldusväärse jõudluse ja eluea nõudlikus pooljuhtide tootmiskeskkonnas.

SiC kaetud ICP söövituskanduri tooteparameeter:

Põhilised füüsikalised omadusedCVD SiC kate
Kinnisvara	Tüüpiline väärtus
Kristalli struktuur	FCC β faasi polükristalliline, peamiselt (111) orienteeritud
Tihedus	3,21 g/cm³
Kõvadus	2500 Vickersi kõvadus (koormus 500 g)
Tera suurus	2-10 μm
Keemiline puhtus	99,99995%
Soojusvõimsus	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimatsiooni temperatuur	2700 ℃
Paindetugevus	415 MPa RT 4-punktiline
Youngi moodul	430 Gpa 4pt painutus, 1300 ℃
Soojusjuhtivus	300 W · m^-1·K^-1
Soojuspaisumine (CTE)	4,5×10-6K^-1