Tantaalkarbiidiga kaetud rõngas

VeTeki pooljuht-tantaalkarbiidiga kaetud rõngas on valmistatud sellestgrafiitja kaetud tantaalkarbiidiga – kombinatsiooniga, mis kasutab mõlema materjali parimaid omadusi, et tagada suurepärane jõudlus ja pikaealisus. 

Tantaalkarbiidi katterõnga TaC-kate tagab, et see jääb keemiliselt inertseks SiC kristallide kasvuahjude reaktiivses atmosfääris, mis sageli hõlmab gaase nagu vesinik, argoon ja lämmastik. See keemiline inertsus on ülioluline, et vältida kasvavate kristallide saastumist, mis võib põhjustada defekte ja lõpppooljuhttoodete jõudluse vähenemist. Lisaks võimaldab TaC katte termiline stabiilsus tantaalkarbiidi katterõngal tõhusalt töötada kõrgetel temperatuuridel, mis on vajalikud SiC kristallide kasvuks, tavaliselt üle 2000 °C.

TaC mehaanilised omadused vähendavad oluliselt tantaalkarbiidi katterõnga kulumist. See on ülioluline kristallide kasvuprotsessi korduva olemuse tõttu, mis puutub juhtrõngasse sagedaste termiliste tsüklite ja mehaaniliste pingetega. TaC kõvadus ja kulumiskindlus tagavad, et TaC kaetud rõngas säilitab oma konstruktsiooni terviklikkuse ja täpsed mõõtmed pikka aega, minimeerides vajaduse sagedaste asendamiste järele ja vähendades tootmisprotsessi seisakuid. 

Lisaks optimeerib grafiidi ja TaC kombinatsioon tantaalkarbiidi katterõngas kristallide kasvuahju soojusjuhtimist. Grafiidi kõrge soojusjuhtivus jaotab tõhusalt soojust, vältides kuumade kohtade teket ja soodustades ühtlast kristallide kasvu. Samal ajal toimib TaC kate termilise barjäärina, kaitstes grafiidisüdamikku otsese kokkupuute eest kõrgete temperatuuride ja reaktiivsete gaasidega. Selle südamiku ja kattematerjalide vahelise sünergia tulemuseks on juhtrõngas, mis mitte ainult ei talu karmides tingimustes.SiC kristallide kasvvaid suurendab ka protsessi üldist tõhusust ja kvaliteeti.

VeTeki pooljuht-tantaalkarbiidiga kaetud rõngas on pooljuhtidetööstuse oluline komponent, mis on spetsiaalselt loodudRänikarbiidi kristallid. Selle disain kasutab ära grafiidi ja tantaalkarbiidi tugevusi, et pakkuda erakordset jõudlust kõrge temperatuuriga ja suure pingega keskkondades. TaC kate tagab keemilise inertsuse, mehaanilise vastupidavuse ja termilise stabiilsuse, mis kõik on kvaliteetsete SiC kristallide tootmisel kriitilise tähtsusega. Säilitades oma terviklikkuse ja funktsionaalsuse ekstreemsetes tingimustes, toetab rõngas SiC kristallide tõhusat ja defektideta kasvu, aidates kaasa suure võimsusega ja kõrgsageduslike pooljuhtseadmete edenemisele.

VeTek Semiconductor on juhtiv tootja ja tarnijaTantaalkarbiidi kate, Ränikarbiidi katejaSpetsiaalne grafiitHiinas. Oleme pikka aega pühendunud kõrgtehnoloogia ja tootelahenduste pakkumisele pooljuhtide tööstusele ning loodame siiralt, et saame olla teie pikaajaline partner Hiinas.

Tantaalkarbiidi (TaC) katemikroskoopilisel ristlõikel：

Ülevaadepooljuhtkiipide epitaksitööstuse kett：